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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
36
读取速度,GB/s
16.9
15.0
写入速度,GB/s
12.0
10.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2569
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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