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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
9.8
16.8
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3009
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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