RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2751
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link