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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
6.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
1767
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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