Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.8 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.9 left arrow 6.8
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Por volta de -30% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.8 left arrow 9.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.9 left arrow 6.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2126 left arrow 1767
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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