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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de -30% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
6.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2126
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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