RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.7
Скорость записи, Гб/сек
7.9
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link