Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote
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Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 71
    Rund um 51% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.9 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.8 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 71
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 14.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.9 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2126 left arrow 1866
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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