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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
71
周辺 51% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
71
読み出し速度、GB/s
9.8
14.8
書き込み速度、GB/秒
7.9
7.7
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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