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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
10.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
2400
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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