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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
7.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
10.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2126
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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