RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3443
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO M418039 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link