RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3443
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link