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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3260
2939
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