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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
37
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
14.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3260
2939
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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