RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 32

Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.6 11.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.5 7.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2409 2292

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns