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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
14.6
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2409
2292
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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