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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
33
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
20
Velocità di lettura, GB/s
17.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3022
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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