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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
36
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2711
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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