RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
69
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
1980
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link