Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 34
    Rund um -42% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.7 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    18.4 left arrow 5.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    34 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 19.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.8 left arrow 18.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1682 left arrow 4182
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche