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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
34
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
17.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3821
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Absolute Latency
0 ns
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