RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
2537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link