Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 34
    Rund um -13% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.8 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 5.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    34 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.8 left arrow 11.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1682 left arrow 3119
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RAM 2

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