Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 71
    Rund um 52% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 5.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    34 left arrow 71
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.8 left arrow 8.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1682 left arrow 1922
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