RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
17.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link