RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3197
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link