RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
82
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
82
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1930
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link