RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3298
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link