RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3753
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link