RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3234
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link