RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
28
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link