RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link