RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
101
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1399
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link