RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link