RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
29
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link