RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2325
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link