RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2997
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link