RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
78
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link