RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link