RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link