RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link