RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2464
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link