RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
69
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2817
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link