RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link