RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2464
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link