RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2479
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link