RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3204
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link