RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3204
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link