RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3889
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
UMAX Technology 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link