RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3273
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link