RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3273
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link