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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
34
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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